申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所

申请日：2022-09-02

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117941078A

主分类号：H01L29/786

分类号：H01L29/786;H10B12/00

优先权：["20210917 JP 2021-151971"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.26#公开

摘要：提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括第一导电体、第一导电体上的金属氧化物、金属氧化物上的第二导电体、第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体以及第二绝缘体上的第三导电体。第一导电体具有与金属氧化物重叠的区域。金属氧化物具有第一开口。第二导电体具有第二开口。第一开口与第二开口重叠。第一绝缘体配置在第一开口及第二开口的内侧。第二绝缘体配置在第一绝缘体的凹部中。第三导电体配置在第二绝缘体的凹部中。

主权项：1.一种半导体装置，包括：第一导电体；所述第一导电体上的金属氧化物；所述金属氧化物上的第二导电体；第一绝缘体；所述第一绝缘体上的第二绝缘体；以及所述第二绝缘体上的第三导电体，其中，所述第一导电体具有与所述金属氧化物重叠的区域，所述金属氧化物具有第一开口，所述第二导电体具有第二开口，所述第一开口与所述第二开口重叠，所述第一绝缘体配置在所述第一开口及所述第二开口的内侧，所述第二绝缘体配置在所述第一绝缘体的凹部中，并且，所述第三导电体配置在所述第二绝缘体的凹部中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、存储装置

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